5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFN150N10
IXFN150N10 PDF预览

IXFN150N10

更新时间： 2024-11-19 14:56:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
5页 200K
描述
功能与特色: 应用: 优点:

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFN150N10 数据手册

 浏览型号IXFN150N10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFN150N10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFN150N10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFN150N10的Datasheet PDF文件第5页 
HiPerFETTM  
Power MOSFETs  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
IXFK100N10  
IXFN150N10  
100V 100 A 12 mW  
100V 150 A 12 mW  
trr £ 200 ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr  
TO-264 AA (IXFK)  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
IXFK  
IXFN  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
100  
100  
100  
100  
V
V
G
(TAB)  
D
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW  
S
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
±20  
±30  
V
V
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)  
VGSM  
E153432  
S
ID25  
ID120  
IDM  
TC = 25°C  
100   
76  
150  
-
A
A
A
A
G
D
TC = 120°C, limited by external leads  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
560  
75  
560  
75  
G
IAR  
S
EAR  
TC = 25°C  
30  
5
30  
5
mJ  
S
D
S
dv/dt  
IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS  
TJ £ 150°C, RG = 2 W  
,
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Either Source terminal at miniBLOC can be used  
as Main or Kelvin Source  
PD  
TC = 25°C  
500  
520  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
300  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
●
Internationalstandardpackages  
JEDECTO-264 AA,epoxymeet  
●
UL94V-0, flammability classification  
miniBLOCwithAluminiumnitride  
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
-
°C  
●
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
IISOL £ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
-
-
2500  
3000  
V~  
V~  
isolation  
Low RDS (on) HDMOSTM process  
●
●
Rugged polysilicon gate cell structure  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
Fast intrinsic Rectifier  
Md  
Mountingtorque  
Terminalconnectiontorque  
0.9/6  
-
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
●
●
Weight  
10  
30  
g
●
Applications  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
●
DC-DC converters  
Synchronousrectification  
Battery chargers  
Switched-modeandresonant-mode  
●
min. typ. max.  
●
●
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 1 mA  
VDS = VGS, ID = 8 mA  
100  
2
V
V
powersupplies  
DC choppers  
Temperatureandlightingcontrols  
Low voltage relays  
VGH(th)  
4
●
●
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±200 nA  
400 mA  
●
VDS = 0.8 • VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
2
mA  
Advantages  
●
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 75 A  
Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %  
12 mW  
●
●
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
92803G(8/96)  
1 - 4  
12345

中文翻译

下载PDF

与IXFN150N10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFN150N15 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFET
IXFN150N65X2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFN15N100 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFN160N30T IXYS

获取价格

 		GigaMOS Power MOSFET
IXFN160N30T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFN16N100 IXYS

获取价格

 		HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN170N10 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFET
IXFN170N10 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用: 优点:
IXFN170N25X3 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFN170N30P IXYS

获取价格

 		Polar Power MOSFET HiPerFET

与IXFN150N10相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证