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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 574K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.7 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | UL RECOGNIZED | 雪崩能效等级(Eas): | 4000 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (ID): | 115 A |
最大漏源导通电阻: | 0.018 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 280 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Nickel (Ni) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN140N25T | IXYS |
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GigaMOS HiperFET Power MOSFET | |
IXFN140N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFN140N30P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFN140N30P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN150N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN150N10 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN150N15 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET | |
IXFN150N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXFN15N100 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXFN160N30T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET |