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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 574K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 优点: 应用: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 雪崩能效等级（Eas）： | 4000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 115 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN140N25T | IXYS |
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GigaMOS HiperFET Power MOSFET |
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| IXFN140N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFN140N30P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFN140N30P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN150N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN150N10 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN150N15 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN150N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXFN15N100 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXFN160N30T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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