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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 8.57 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.017 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 600 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Nickel (Ni) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN120N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IXFN120N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFN130N30 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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| IXFN130N30 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN130N90SK | LITTELFUSE |
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工业级单开关SiC MOSFET采用带有4个连接器的UL认证SOT227B封装，提供300 |
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| IXFN132N50P3 | IXYS |
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Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN132N50P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
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| IXFN140N20P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN140N20P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN140N25T | IXYS |
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GigaMOS HiperFET Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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