是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 4.46 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
雪崩能效等级(Eas): | 3000 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 90 A | 最大漏极电流 (ID): | 90 A |
最大漏源导通电阻: | 0.056 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1500 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 275 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN110N85X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor | |
IXFN110N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 | |
IXFN120N20 | IXYS |
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HiPer FET Power MOSFETs | |
IXFN120N20 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN120N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor | |
IXFN120N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN130N30 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET | |
IXFN130N30 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN130N90SK | LITTELFUSE |
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工业级单开关SiC MOSFET采用带有4个连接器的UL认证SOT227B封装,提供300 | |
IXFN132N50P3 | IXYS |
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Polar3 HiPerFET Power MOSFET |