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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 4.46 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.056 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1500 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 275 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN110N85X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IXFN110N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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| IXFN120N20 | IXYS |
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HiPer FET Power MOSFETs |
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| IXFN120N20 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN120N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IXFN120N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFN130N30 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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| IXFN130N30 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN130N90SK | LITTELFUSE |
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工业级单开关SiC MOSFET采用带有4个连接器的UL认证SOT227B封装，提供300 |
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| IXFN132N50P3 | IXYS |
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Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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