5秒后页面跳转
IXFN110N85X PDF预览

IXFN110N85X

更新时间: 2024-11-19 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 高电压电源二极管
页数 文件大小 规格书
7页 312K
描述
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通电阻,因此能够在高电压电源转换应用中实现高功率密度。 这种器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有低栅

IXFN110N85X 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
Base Number Matches:1

IXFN110N85X 数据手册

 浏览型号IXFN110N85X的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFN110N85X的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFN110N85X的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFN110N85X的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFN110N85X的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXFN110N85X的Datasheet PDF文件第7页 
X-Class HiPerFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 850V  
ID25 = 110A  
RDS(on) 33m  
IXFN110N85X  
D
S
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Diode  
G
S
miniBLOC, SOT-227  
E153432  
S
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
VDSS  
VDGR  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
850  
850  
V
V
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
S
D
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
110  
220  
A
A
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
55  
3
A
J
PD  
TC = 25C  
1170  
50  
W
dv/dt  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
V/ns  
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
International Standard Package  
miniBLOC, with Aluminium Nitride  
Isolation  
Isolation Voltage 2500V~  
High Current Handling Capability  
Fast Intrinsic Diode  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
IISOL 1mA  
t = 1 minute  
t = 1 second  
2500  
3000  
V~  
V~  
Md  
Mounting Torque  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in  
Nm/lb.in  
Avalanche Rated  
Weight  
30  
g
Low RDS(on)  
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
850  
3.5  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
Applications  
5.5  
200 nA  
50 A  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
IDSS  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
TJ = 125C  
5
mA  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 55A, Note 1  
33 m  
© 2019 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100731A(11/19)  

与IXFN110N85X相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFN120N20 IXYS

获取价格

HiPer FET Power MOSFETs
IXFN120N20 LITTELFUSE

获取价格

功能与特色: 应用: 优点:
IXFN120N65X2 IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor
IXFN120N65X2 LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXFN130N30 IXYS

获取价格

HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN130N30 LITTELFUSE

获取价格

功能与特色: 应用: 优点:
IXFN130N90SK LITTELFUSE

获取价格

工业级单开关SiC MOSFET采用带有4个连接器的UL认证SOT227B封装,提供300
IXFN132N50P3 IXYS

获取价格

Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFN132N50P3 LITTELFUSE

获取价格

PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFN140N20P IXYS

获取价格

PolarHT HiPerFET Power MOSFET