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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | MINIBLOC-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 3.63 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 5000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 82 A | 最大漏极电流 (ID)： | 82 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.049 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 960 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFN100N50P | IXYS |
类似代替  |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN100N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXFN102N30P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN102N30P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN106N120 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXFN106N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN106N20 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN110N20 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) |
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| IXFN110N60P3 | IXYS |
获取价格 |
Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN110N60P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
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| IXFN110N85X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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