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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFN100N50Q3
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IXFN100N50Q3

更新时间： 2024-02-22 08:17:44
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IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页 124K
描述
HiperFET Power MOSFET Q3-Class

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IXFN100N50Q3 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
Base Number Matches：1

IXFN100N50Q3 数据手册

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Advance Technical Information  
HiperFETTM  
Power MOSFET  
Q3-Class  
VDSS = 500V  
ID25 = 82A  
RDS(on) ≤ 49mΩ  
IXFN100N50Q3  
trr  
≤ 250ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Fast Intrinsic Rectifier  
miniBLOC  
E153432  
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
500  
500  
V
V
VDGR  
S
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±30  
±40  
V
V
D
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
82  
A
A
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
300  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
5
A
J
Either Source Terminal S can be used as  
the Source Terminal or the Kelvin Source  
(Gate Return) Terminal.  
EAS  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C  
TC = 25°C  
50  
V/ns  
W
960  
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
z
International Standard Package  
Low Intrinsic Gate Resistance  
miniBLOC with Aluminum Nitride  
z
z
VISOL  
50/60 Hz, RMS, t = 1minute  
2500  
3000  
V~  
V~  
IISOL ≤ 1mA,  
t = 1s  
Isolation  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
Low RDS(on) and QG  
z
Md  
Mounting Torque for Base Plate  
Terminal Connection Torque  
1.5/13  
1.3/11.5  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
z
z
Weight  
30  
g
Advantages  
z
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
500  
3.5  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 3mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
z
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
z
6.5  
z
±200 nA  
Power Supplies  
DC Choppers  
Temperature and Lighting Controls  
z
IDSS  
50 μA  
2.5 mA  
z
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 50A, Note 1  
49 mΩ  
DS100308(03/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345

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IXFN100N50Q3 替代型号

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