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IXFN100N50P

更新时间： 2024-11-05 12:20:15

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5页	158K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFN100N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	3.46	其他特性：	UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	90 A	最大漏源导通电阻：	0.049 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN100N50P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFN 100N50P

V_DSS= 500 V

I_D25= 90

R_DS(on)≤ 49 mΩ

≤ 200 ns

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

500

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DRMS

I_DM

T_C=25° C

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

250

G = Gate

D = Drain

I_AR

T_C=25° C

100

S = Source

E_AR

E_AS

T_C=25° C

100

Either Source terminal S can be used as the

Source terminal or the Kelvin Source (gate

return) terminal.

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 2 Ω

V/ns

T_C=25° C

1040

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

• International standard package

• Encapsulating epoxy meets

UL94V-0, flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

2500

3000

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

I_ISOL≤1 mA

t = 1 s

Fast recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5 / 13 Nm/lb.in.

rated

Low package inductance

Weight

SOT-227B

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

3.0

5.0

200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

2000

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T, Note 1

49 mΩ

DS99497E(01/06)

12 3 4 5

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IXFN100N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN100N50Q3	IXYS	类似代替	HiperFET Power MOSFET Q3-Class
STE53NC50	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V - 0.070ohm - 53A ISOTOP PowerM

与IXFN100N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN100N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFET Q3-Class
IXFN100N50Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFN100N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFN102N30P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN102N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN106N120	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXFN106N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN106N20	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN110N20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 200V V(BR)DSS \| 110A I(D)
IXFN110N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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