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IXFN106N20

更新时间： 2024-11-17 22:11:55

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFN106N20 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFK 90 N 20 200V

90 A

23 mW

IXFN 100 N 20 200V 100 A 23 mW

IXFN 106 N 20 200V 106 A 20 mW

t_rr£ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

TO-264 AA

TO-264 AA (IXFK)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

IXFK

IXFN

90N20 100N20 106N20

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

200

200 V

(TAB)

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

200

200 V

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

±20

±30

20 V

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

V_GSM

E153432

I_D25

I_D80

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, Chip capability

T_C= 80°C, limited by external leads

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

100

106 A

360

400

424 A

E_AR

T_C= 25°C

30 mJ

5 V/ns

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

500

520

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

Internationalstandardpackages

JEDECTO-264 AA,epoxymeet

●

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

UL94V-0,flammabilityclassification

miniBLOCwithAluminiumnitride

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

●

isolation

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

●

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

0.9/6

1.5/13 Nm/lb.in.

●

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

Fast intrinsic Rectifier

●

Weight

●

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

●

DC-DC converters

Synchronousrectification

Battery chargers

min. typ. max.

●

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

200

●

Switched-modeandresonant-mode

V_GH(th)

powersupplies

DC choppers

Temperatureandlightingcontrols

Low voltage relays

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

400 mA

●

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

●

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms,

duty cycle d £ 2 %

Advantages

IXFK90N20

IXFN100N20

IXFN106N20

0.023

0.020

●

Easy to mount

Space savings

●

High power density

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

92804H(7/97)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN80N50Q3	IXYS	类似代替	HiperFET Power MOSFET Q3-Class
IXFN180N20	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN48N50	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs

与IXFN106N20相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN110N20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 200V V(BR)DSS \| 110A I(D)
IXFN110N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFN110N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFN110N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFN110N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFN120N20	IXYS	获取价格	HiPer FET Power MOSFETs
IXFN120N20	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN120N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
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IXFN130N30	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

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