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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFN32N60 | IXYS |
类似代替  |
HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFN48N50 | IXYS |
类似代替 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFN106N20 | IXYS |
类似代替 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN100N25 | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low |
|
| IXFN100N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFN100N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFN100N50Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFET Power MOSFET Q3-Class |
|
| IXFN100N50Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
|
| IXFN100N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
|
| IXFN102N30P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFN102N30P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFN106N120 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IXFN106N20 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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