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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0125 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN100N10S3 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes |
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| IXFN100N120 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXFN100N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN100N20 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN100N25 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low |
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| IXFN100N50P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN100N50P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN100N50Q3 | IXYS |
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HiperFET Power MOSFET Q3-Class |
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| IXFN100N50Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFN100N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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