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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 180 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 35 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFM75N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFM75N10 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFM7N80 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFM7N90 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFM8N65 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFM8N80 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247AD |
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| IXFM9N100 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFMIXFT24N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN100N10 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFN100N10S1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes |
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