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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 4000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFL60N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264 |
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| IXFL60N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFL70N60Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
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| IXFL80N50Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
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| IXFL80N50Q2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFL82N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 600V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFL9N65 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXFLXXXX | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFM10N100 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFM10N60 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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