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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 664K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 11 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFM11N60 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFM11N80 | IXYS |
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IXFM11N90 | IXYS |
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IXFM12N100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFM12N50 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFM12N90 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFM13N50 | IXYS |
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IXFM13N65 | IXYS |
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IXFM13N80 | IXYS |
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IXFM13N90 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |