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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFL60N60 | IXYS |
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Single Die MOSFET |
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| IXFL60N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264 |
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| IXFL60N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFL70N60Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
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| IXFL80N50Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
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| IXFL80N50Q2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFL82N60P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 600V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFL9N65 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXFLXXXX | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFM10N100 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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