IXFL44N60

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

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IXFL44N60 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.47	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	41 A	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	176 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFL44N60 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFL 44N60

V_DSS= 600 V

I_D2541 A

R_DS(on)= 130 mΩ

Single Die MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

t_rr≤ 250 ns

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Preliminary data sheet

ISOPLUS-264^TM

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

600

V_GS

Continuous

Transient

(Backside)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

176

G = Gate

D = Drain

S = Source

E_AR

E_AS

= 25°C

T^C_C= 25°C

Features

dv/dt

I_S≤ I , di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 1^D5^M0°C, R_G= 2 Ω

V/ns

^zSilicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

P_D

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

^zLow drain to tab capacitance(<30pF)

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_J

1.6 mm (0.63 in) from case for 10 s

°C

^zRugged polysilicon gate cell structure

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

^zFast intrinsic Rectifier

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13 Nm/lb.in.

Applications

Weight

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

DC choppers

^zAC motor control

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

600

2.5

Advantages

V_GH(th)

4.5

Easy assembly

Space savings

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200 nA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

100 µA

High power density

R_DS(on)

= 10 V, I_D= I_T

N^Go^Stes 1, 2

130 mΩ

DS99092(10/03)

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