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IXFL44N100P

更新时间： 2024-11-19 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFL44N100P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	357 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFL44N100P 数据手册

MOSFET Datasheet

IXFL44N100P

1000 V, 240 mΩ Polar^TMHiPerFET^TMPower MOSFET

Features

■

Silicon Chip on Direct-Copper-Bond Substrate

■

High Power Dissipation

Isolated Mounting Surface

2500 V Electrical Isolation

■

Low Drain toTab Capacitance (<30pF)

Rugged Polysilicon Gate Cell Structure

Unclamped Inductive Switching (UIS) Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectiﬁer

Low R_DS(on)and Q_G

Advantages

■

Easy Assembly

Space Savings

High Power Density

Pinout Diagram (ISOPLUS i5-Pak^TM(HV))

Tab

Applications

■

Switched-Mode and

Resonant-Mode Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Controls

Robotics and Servo Controls

■

Product Summary

Characteristics

Value

1000

Unit

G D

V_DSS

I_D25

R_DS(on),max

t_rr

G: Gate; D: Drain; S: Source; Tab: Electrically Isolated

≤ 240

≤ 300

mΩ

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: XZ 05/01/2023

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