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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 493K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 2000 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 22 A | 最大漏极电流 (ID): | 22 A |
最大漏源导通电阻: | 0.24 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 357 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 110 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFL44N60 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET | |
IXFL44N80 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS264 | |
IXFL450 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXFL60N60 | IXYS |
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Single Die MOSFET | |
IXFL60N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264 | |
IXFL60N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFL70N60Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET Q2-Class | |
IXFL80N50Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET Q2-Class | |
IXFL80N50Q2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFL82N60P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 600V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |