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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 175 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXFL25N20 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXFL30N120P | IXYS | Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFL30N120P | LITTELFUSE | 功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFL32N120P | IXYS | Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFL32N120P | LITTELFUSE | 功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFL34N100 | IXYS | HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS264(Electrically Isolated Backside) |
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