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FQP13N10

更新时间： 2024-11-15 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 621K
描述
100V N-Channel MOSFET

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FQP13N10 数据手册

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January 2001  
TM  
QFET  
FQP13N10  
100V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand a high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for low voltage applications such as audio  
amplifier, high efficiency switching DC/DC converters, and  
DC motor control.  
•
•
•
•
•
•
•
12.8A, 100V, R  
= 0.18Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 12 nC)  
Low Crss ( typical 20 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
"
G !  
G
D
S
TO-220  
FQP Series  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP13N10  
100  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
12.8  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
9.05  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
51.2  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
95  
mJ  
A
12.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
6.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
65  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.43  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +175  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
2.31  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.5  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A1, January 2001  
12345678

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FQP13N10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP120NF10 STMICROELECTRONICS

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 N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP13N10J69Z FAIRCHILD

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FQP13N10L FAIRCHILD

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 		100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP13N10L ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，100 V，12.8 A，180 mΩ
FQP13N50 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQP13N50 ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，12.5 A，430 mΩ，TO-2
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FQP13N50CF FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET
FQP140N03L FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQP14N15 TRIPATH

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 		STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLO

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