5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP120NF10
STP120NF10 PDF预览

STP120NF10

更新时间： 2024-11-17 22:42:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
10页 396K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

STP120NF10 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.68
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：180296Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-220 TYPE ASamacsys Released Date：2015-07-22 14:47:13
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：550 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A最大漏极电流 (ID)：110 A
最大漏源导通电阻：0.0105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：312 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：440 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP120NF10 数据手册

 浏览型号STP120NF10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STP120NF10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STP120NF10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STP120NF10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STP120NF10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STP120NF10的Datasheet PDF文件第7页 
STB120NF10  
STP120NF10  
N-CHANNEL 100V - 0.009 Ω - 120A D²PAK/TO-220  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STB120NF10  
STP120NF10  
100 V  
100 V  
< 0.0105 Ω  
< 0.0105 Ω  
120 A  
120 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.009 Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
3
2
2
D PAK  
TO-263  
1
■
SURFACE-MOUNTING D²PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4")  
(Suffix “T4”)  
TO-220  
DESCRIPTION  
This MOSFET series realized with STMicroelectronics  
unique STripFET process has specifically been designed  
to minimize the on-resistance. It is therefore suitable as  
primary switch in advanced high-efficiency, high-  
frequency isolated DC-DC converters for Telecom and  
Computer applications. It is also intended for any  
applications with low gate drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
AUDIO AMPLIFIERS  
■
POWER TOOLS  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STB120NF10  
STP120NF10  
MARKING  
B120NF10  
P120NF10  
PACKAGE  
TO-263  
TO-220  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
TUBE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
100  
100  
± 20  
120  
85  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
480  
312  
2.08  
10  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
(2)  
E
550  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I ≤120A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
j
o
(2) Starting T = 25 C, I = 60A, V = 50V  
j
D
DD  
May 2003  
1/10  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

STP120NF10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP30NF10 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-22
STP24NF10 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 24A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STP80NF10 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与STP120NF10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP120NH03L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK STripFET Power MOSFET for DC-DC co
STP12A60 SEMIWELL

获取价格

 		Bi-Directional Triode Thyristor
STP12A80 SEMIWELL

获取价格

 		Bi-Directional Triode Thyristor
STP12IE90F4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 900 V - 12A - 0.083 ohm
STP12IE95F4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 950 V - 12A - 0.083 ohm
STP12N120K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，
STP12N50M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道500 V、0.325 Ohm典型值、10 A MDmesh M2功率MOSFET，
STP12N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.395 Ohm典型值、9 A MDmesh M2功率MOSFET，T
STP12N65M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道650 V、0.42 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET，TO
STP12N65M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V, 0.39 Ohm, 8.5 A MDmesh V Power MOSFET DPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK

与STP120NF10相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证