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STP12NM50

更新时间： 2024-09-30 22:28:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
14页 409K
描述
N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET

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STP12NM50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.68
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：180298Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-220Samacsys Released Date：2015-07-22 14:47:00
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：400 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP12NM50 数据手册

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STP12NM50 - STP12NM50FP  
STB12NM50 - STB12NM50-1  
N-CHANNEL 550V @ Tj -0.30Ω - 12A TO-220/FP/D²/I²PAK  
max  
Zener-Protected SuperMESH™MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
(@Tj  
)
max  
STB12NM50  
STB12NM50-1  
STP12NM50  
STP12NM50FP  
550 V  
550 V  
550 V  
550 V  
< 0.35 Ω  
< 0.35 Ω  
< 0.35 Ω  
< 0.35 Ω  
12 A  
12 A  
12 A  
12 A  
3
3
2
2
1
1
■ TYPICAL R (on) = 0.30 Ω  
DS  
TO-220FP  
TO-220  
■ HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
■ LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
CHARGE  
■ 100% AVALANCHE TESTED  
■ LOW GATE INPUT RESISTANCE  
■ TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH  
MANUFACTURING YIELDS  
3
1
3
2
1
2
2
D PAK  
I PAK  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
DESCRIPTION  
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
technology that associates the Multiple Drain pro-  
cess with the Company’s PowerMESH™ horizon-  
tal layout. The resulting product has an  
outstanding low on-resistance, impressively high  
dv/dt and excellent avalanche characteristics. The  
adoption of the Company’s proprietary strip tech-  
nique yields overall dynamic performance that is  
significantly better than that of similar competi-  
tion’s products.  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increas-  
ing power density of high voltage converters allow-  
ing system miniaturization and higher efficiencies.  
Table 2: Order Codes  
SALES TYPE  
STB12NM50T4  
STB12NM50-1  
STP12NM50  
MARKING  
B12NM50  
B12NM50  
P12NM50  
P12NM50FP  
PACKAGE  
D²PAK  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
TUBE  
I²PAK  
TO-220  
TO-220FP  
TUBE  
STP12NM50FP  
TUBE  
Rev. 2  
March 2005  
1/14  
1234567...14

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STP12NM50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP14NM50N STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 500 V, 0.28 Ω typ., 12 A MDmesh™
STP12NM50FD STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PA
IRFB11N50APBF VISHAY

功能相似

 Power MOSFET

与STP12NM50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP12NM50_06 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 550V @ tjmax - 0.30ヘ - 12A TO-220/F
STP12NM50FD STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PA
STP12NM50FDFP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PA
STP12NM50FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET
STP12NM50N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500V - 0.29ヘ - 11A - TO-220 /FP- D2
STP12NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-
STP12NR20 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB
STP12NR20FI ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
STP12PF06 STMICROELECTRONICS

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 		P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP130N10F3 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET

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