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STP12NB30

更新时间： 2024-09-30 22:42:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 58K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

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STP12NB30 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：300 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP12NB30 数据手册

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STP12NB30  
STP12NB30FP  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
PowerMESH  
MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP3NB60  
STP12NB30FP  
300 V  
300 V  
< 0.40 Ω  
< 0.40 Ω  
12A  
6.5 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.34 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
1
2
1
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, SGS-Thomson has designed an  
advanced family of power MOSFETs with  
outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
TO-220  
TO-220FP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY(UPS)  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR  
TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER  
ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP12NB30 STP12NB30FP  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
300  
300  
± 30  
V
V
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
V
12  
7.5  
48  
6.5  
4
A
ID  
A
I
DM(• )  
48  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
125  
1
35  
W
Derating Factor  
0.28  
5.5  
2000  
W/oC  
V/ns  
V
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
5.5  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
1/6  
January 1998  
123456

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与STP12NB30相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP12NB30FP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP12NK30Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 300V - 0.36ohm - 9A - TO-220 Zener-
STP12NK60Z STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V @Tjmax, 0.53 Ω, 10 A TO-220,
STP12NK60Z_09 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V @Tjmax, 0.53 Ω, 10 A TO-220,
STP12NK80Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 800V - 0.65 OHM - 10.5A TO-220 / D2PAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power
STP12NM50 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET
STP12NM50_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 550V @ tjmax - 0.30ヘ - 12A TO-220/F
STP12NM50FD STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PA
STP12NM50FDFP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PA
STP12NM50FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET

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