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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 300 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.29 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 147 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 57.6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQP9N30 | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 300 V，9 A，450 mΩ，TO-220 |
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| STP12NK30Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 300V - 0.36ohm - 9A - TO-220 Zener- |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP14N30J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 300V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FQP15P12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
120V P-Channel MOSFET |
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| FQP15P12 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-120 V，-15 A，0.2 Ω，DPAK |
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| FQP16N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQP16N15 | TRIPATH |
获取价格 |
STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLO |
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| FQP16N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| FQP16N25 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，16 A，230 mΩ，TO-220 |
|
| FQP16N25C | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| FQP17N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
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| FQP17N08L | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V LOGIC N-Channel MOSFET |
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