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FQP19N20 PDF预览

FQP19N20

更新时间: 2024-11-06 22:26:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 698K
描述
200V N-Channel MOSFET

FQP19N20 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.7
雪崩能效等级(Eas):250 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):19.4 A
最大漏极电流 (ID):19.4 A最大漏源导通电阻:0.15 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):78 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQP19N20 数据手册

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FQP19N20 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP19NF20 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STP80NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与FQP19N20相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP19N20C FAIRCHILD

获取价格

200V N-Channel MOSFET
FQP19N20C ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,200 V,19 A,170 mΩ,TO-220
FQP19N20CTSTU FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
FQP19N20L FAIRCHILD

获取价格

200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP19N20LJ69Z FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 19.4A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQP1N50 FAIRCHILD

获取价格

500V N-Channel MOSFET
FQP1N50J69Z FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQP1N60 TGS

获取价格

600V N-Channel MOSFET
FQP1N60 FAIRCHILD

获取价格

QFET N-CHANNEL
FQP1N60C FAIRCHILD

获取价格

暂无描述