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FQP24N08 PDF预览

FQP24N08

更新时间： 2024-09-15 22:25:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 714K
描述
80V N-Channel MOSFET

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FQP24N08 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.89
雪崩能效等级（Eas）：230 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：24 A
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：96 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP24N08 数据手册

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August 2000  
TM  
QFET  
FQP24N08  
80V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, high  
efficiency switching for DC/DC converters, and DC motor  
control.  
•
•
•
•
•
•
•
24A, 80V, RDS(on) = 0.06Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 19 nC)  
Low Crss ( typical 50 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
!
G
"
TO-220  
FQP Series  
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQP24N08  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
80  
24  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
A
17  
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
96  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
± 25  
230  
24  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
7.5  
mJ  
V/ns  
W
dv/dt  
PD  
6.5  
75  
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.5  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
-55 to +175  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
300  
°C  
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
2.0  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.5  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, August 2000  
12345678

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FQP24N08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP5NK100Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
STP80NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与FQP24N08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP26N03L ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220
FQP26N03LJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 30V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQP27N25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQP27N25 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，25.5 A，110 mΩ，TO-2
FQP27N25_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FQP27P06 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-27 A，70 mΩ，TO-220
FQP27P06 FAIRCHILD

获取价格

 		60V P-Channel MOSFET
FQP27P06 UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FQP27P06_SW82127 FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
FQP27P06_SW82127 ONSEMI

获取价格

 		Transistor

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