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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQP20N06
FQP20N06 PDF预览

FQP20N06

更新时间： 2024-11-06 22:25:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 658K
描述
60V N-Channel MOSFET

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FQP20N06 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.87
雪崩能效等级（Eas）：155 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：53 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP20N06 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQP20N06  
60V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, DC/  
DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
•
•
20A, 60V, R  
= 0.06Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 11.5 nC)  
Low Crss ( typical 25 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
"
G !  
G
D
TO-220  
FQP Series  
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP20N06  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
60  
20  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
14.1  
80  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
155  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
20  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.3  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
7.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
53  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.35  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
2.85  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.5  
--  
62.5  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1. May 2001  
12345678

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FQP20N06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP36NF06L STMICROELECTRONICS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP20N06J69Z FAIRCHILD

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FQP20N06L ONSEMI

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FQP22N30 ONSEMI

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FQP26N03L ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220
FQP26N03LJ69Z FAIRCHILD

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