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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.4 A | 最大漏源导通电阻： | 9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5.6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP1N60 | TGS |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQP1N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
QFET N-CHANNEL |
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| FQP1N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQP1N60J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQP1P50 | FAIRCHILD |
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500V P-Channel MOSFET |
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| FQP20N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQP20N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，60 V，20 A，60 mΩ，TO-220 |
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| FQP20N06J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FQP20N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQP20N06L | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，21 A，55 mΩ，TO- |
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