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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.67 | 雪崩能效等级（Eas）： | 85 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 7.2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP2N40-F080 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET |
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| FQP2N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQP2N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FQP2N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQP2N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQP2N60C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2 A，4.7 Ω，TO-220 |
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| FQP2N60J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP2N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQP2N80 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，QFET® MOSFET，800V，2.4A，6.3Ω |
|
| FQP2N80-Q | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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