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FQP2N50C PDF预览

FQP2N50C

更新时间： 2024-09-16 21:22:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 886K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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FQP2N50C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：155 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQP2N50C 数据手册

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®
QFET  
FQP2N50C / FQPF2N50C  
500 V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
2 A, 500 V, R  
= 2.5 Ω @ V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 10 nC)  
Low Crss ( typical 8.5 pF)  
Fast switching  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
100 % avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
!
G
TO-220F  
FQPF  
TO-220  
G D  
S
G
D S  
!
S
FQP  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP2N50C  
FQPF2N50C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
2
1.2  
8
2 *  
1.2 *  
8 *  
A
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
DM  
V
E
I
E
dv/dt  
P
Gate-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
± 30  
155  
2
5.5  
4.5  
V
mJ  
A
mJ  
V/ns  
W
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
AR  
Power Dissipation (T = 25°C)  
55  
20  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.44  
0.16  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP2N50C  
FQPF2N50C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
2.27  
0.5  
62.5  
6.25  
--  
62.5  
θJC  
θJS  
θJA  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, October 2004  
1234567...10

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