是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.72 |
Samacsys Confidence: | 3 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 167468 | Samacsys Pin Count: | 3 |
Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category: | Transistor Outline, Vertical |
Samacsys Footprint Name: | FQP30N06 | Samacsys Released Date: | 2020-02-11 04:33:54 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 280 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 30 A | 最大漏极电流 (ID): | 30 A |
最大漏源导通电阻: | 0.04 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 79 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 120 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP36NF06L | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 60V - 0.032ohm - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET TM II Power MOSFET | |
STP16NF06L | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.07 ohm - 16A TO-220/TO-220F | |
STP16NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A TO-220/TO-220F |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQP30N06J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FQP30N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQP30N06L | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,32 A,35 mΩ,TO- | |
FQP32N12V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
120V N-Channel MOSFET | |
FQP32N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET | |
FQP32N20C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 200 V,28 A,82 mΩ,TO-220 | |
FQP33N10 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,100 V,33 A,52 mΩ,TO-220 | |
FQP33N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET | |
FQP33N10-F080 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor | |
FQP33N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET |