是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.21 |
雪崩能效等级(Eas): | 120 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2 A |
最大漏极电流 (ID): | 2 A | 最大漏源导通电阻: | 4.7 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 54 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 8 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQP2N60J69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQP2N80 | FAIRCHILD |
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800V N-Channel MOSFET | |
FQP2N80 | ONSEMI |
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N 沟道,QFET® MOSFET,800V,2.4A,6.3Ω | |
FQP2N80-Q | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
FQP2N90 | FAIRCHILD |
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900V N-Channel MOSFET | |
FQP2N90 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,2.2 A,7.2 Ω,TO-220 | |
FQP2N90_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQP2N90J69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQP2NA90 | FAIRCHILD |
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900V N-Channel MOSFET | |
FQP2P25 | FAIRCHILD |
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250V P-Channel MOSFET |