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FQP27P06_SW82127

更新时间： 2024-11-09 14:50:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 429K
描述
Transistor

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FQP27P06_SW82127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：8.35配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：120 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

FQP27P06_SW82127 数据手册

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March 2013  
FQP27P06  
P-Channel QFET MOSFET  
- 60 V, - 27 A, 70 m  
®
Description  
Features  
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary  
planar stripe and DMOS technology. This advanced  
MOSFET technology has been especially tailored to reduce  
on-state resistance, and to provide superior switching  
performance and high avalanche energy strength. These  
devices are suitable for switched mode power supplies,  
audio amplifier, DC motor control, and variable switching  
power applications.  
•
- 27 A, - 60 V, RDS(on) = 70 m(Max.) @ VGS = - 10 V,  
D = - 13.5 A  
I
•
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 33 nC)  
Low Crss (Typ. 120 pF)  
100% Avalanche Tested  
175C Maximum Junction Temperature Rating  
S
●
●
G  
▶
▲
●
G
D
TO-220  
D
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQP27P06  
-60  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
-27  
A
-19.1  
-108  
25  
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
560  
mJ  
A
-27  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
12  
mJ  
V/ns  
W
dv/dt  
PD  
-7.0  
120  
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.8  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
-55 to +175  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
300  
°C  
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP27P06  
1.25  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RJC  
RCS  
RJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.  
Thermal Resistance, Case-to-Sink, Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.  
0.5  
62.5  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQP27P06 Rev.C0  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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