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FQP28N15 PDF预览

FQP28N15

更新时间: 2024-11-05 22:25:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 790K
描述
150V N-Channel MOSFET

FQP28N15 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
雪崩能效等级(Eas):300 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (Abs) (ID):28 A
最大漏极电流 (ID):28 A最大漏源导通电阻:0.09 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):168 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):112 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQP28N15 数据手册

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与FQP28N15相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP2N30 FAIRCHILD

获取价格

300V N-Channel MOSFET
FQP2N40 FAIRCHILD

获取价格

400V N-Channel MOSFET
FQP2N40-F080 ONSEMI

获取价格

N 沟道 QFET® MOSFET
FQP2N50 FAIRCHILD

获取价格

500V N-Channel MOSFET
FQP2N50C FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQP2N60 FAIRCHILD

获取价格

600V N-Channel MOSFET
FQP2N60C FAIRCHILD

获取价格

600V N-Channel MOSFET
FQP2N60C ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,2 A,4.7 Ω,TO-220
FQP2N60J69Z FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQP2N80 FAIRCHILD

获取价格

800V N-Channel MOSFET