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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.68 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 300 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.1 A | 最大漏源导通电阻： | 3.7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP2N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
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| FQP2N40-F080 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET |
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| FQP2N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQP2N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FQP2N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQP2N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQP2N60C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2 A，4.7 Ω，TO-220 |
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| FQP2N60J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP2N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQP2N80 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，QFET® MOSFET，800V，2.4A，6.3Ω |
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