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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.05 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 560 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 27 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 27 A | 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 155 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 108 A |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 260 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 425 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP27P06J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FQP28N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
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| FQP2N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
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| FQP2N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
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| FQP2N40-F080 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET |
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| FQP2N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQP2N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FQP2N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQP2N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQP2N60C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2 A，4.7 Ω，TO-220 |
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