是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220 |
包装说明: | TO-220, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.79 |
雪崩能效等级(Eas): | 410 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 15.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.27 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 139 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 62.4 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Powers | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FQP17N08 | FAIRCHILD | 80V N-Channel MOSFET |
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FQP17N08L | FAIRCHILD | 80V LOGIC N-Channel MOSFET |
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FQP17N08LJ69Z | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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FQP17N40 | FAIRCHILD | 400V N-Channel MOSFET |
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FQP17N40 | ONSEMI | 功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,400 V,16 A,270 mΩ,TO-220 |
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FQP17N40J69Z | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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