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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.33 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 330 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.265 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP19N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQP19N10J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| FQP19N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQP19N10-Q | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FQP19N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQP19N20 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19.4 A，150 mΩ，TO-2 |
|
| FQP19N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQP19N20C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，TO-220 |
|
| FQP19N20CTSTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| FQP19N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
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