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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.27 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 170 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 64 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP17N40J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQP17P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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| FQP17P06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-17 A，120 mΩ，TO-22 |
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| FQP17P10 | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，QFET® MOSFET，-100V，-16.5A，190mΩ |
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| FQP17P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
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| FQP18N20V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQP18N50V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQP18N50V2 | ROCHESTER |
获取价格 |
18A, 500V, 0.265ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
|
| FQP19N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQP19N10J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
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