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FQP16N15

更新时间: 2024-02-01 23:57:54
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 725K
描述
150V N-Channel MOSFET

FQP16N15 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.36
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):230 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (ID):16.4 A最大漏源导通电阻:0.16 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT APPLICABLE元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):65.6 A
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQP16N15 数据手册

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FQP16N25 FAIRCHILD 250V N-Channel MOSFET

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