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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.97 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 95 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 65 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 51.2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP13N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQP13N50 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，12.5 A，430 mΩ，TO-2 |
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| FQP13N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQP13N50CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQP140N03L | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQP140N03LJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQP14N15 | TRIPATH |
获取价格 |
STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLO |
|
| FQP14N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
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| FQP14N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FQP14N30 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 300 V，14.4 A，290 mΩ，TO- |
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