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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 530 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.54 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 195 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP140N03L | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQP140N03LJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQP14N15 | TRIPATH |
获取价格 |
STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLO |
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| FQP14N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
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| FQP14N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
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| FQP14N30 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 300 V，14.4 A，290 mΩ，TO- |
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| FQP14N30J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 300V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FQP15P12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
120V P-Channel MOSFET |
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| FQP15P12 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-120 V，-15 A，0.2 Ω，DPAK |
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| FQP16N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
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