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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQP13N50C
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FQP13N50C

更新时间： 2024-09-28 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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描述
500V N-Channel MOSFET

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FQP13N50C 数据手册

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TM  
QFET  
FQP13N50C/FQPF13N50C  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
13A, 500V, R  
= 0.48Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 43 nC)  
Low Crss ( typical 20pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-220F  
FQPF Series  
TO-220  
FQP Series  
G D  
S
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP13N50C  
FQPF13N50C  
500  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
13  
8
13 *  
8 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
52  
52 *  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
860  
13  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
19.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
195  
48  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.56  
0.39  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP13N50C  
0.64  
FQPF13N50C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
2.58  
--  
θJC  
0.5  
θJS  
62.5  
62.5  
θJA  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, April 2003  
1234567...10

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FQP13N50C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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