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FQP13N10L PDF预览

FQP13N10L

更新时间： 2024-09-28 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 556K
描述
100V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQP13N10L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：95 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12.8 A最大漏极电流 (ID)：12.8 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：65 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：51.2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQP13N10L 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQP13N10L  
100V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
•
12.8A, 100V, R  
= 0.18Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 8.7 nC)  
Low Crss ( typical 20 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for low voltage applications such as high  
efficiency switching DC/DC converters, and DC motor  
control.  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
"
G !  
G
D
S
TO-220  
FQP Series  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP13N10L  
100  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
12.8  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
9.05  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
51.2  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
95  
mJ  
A
12.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
6.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
65  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.43  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +175  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
2.31  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.5  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A4, December 2000  
12345678

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FQP13N10L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PSMN009-100P,127 NXP

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STP14NF10 STMICROELECTRONICS

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