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IXFQ50N50P3

更新时间： 2024-11-02 20:58:15

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5页	134K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFQ50N50P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.37
Base Number Matches：	1

IXFQ50N50P3 数据手册

Polar3^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 50A

R_DS(on) 125m

IXFT50N50P3

IXFQ50N50P3

IXFH50N50P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXFT)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

TO-3P (IXFQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

TO-247 (IXFH)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

150

I_A

T_C= 25C

E_AS

500

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

960

T_J

-55 ... +150

150



C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C



Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

Low R_DS(ON)and Q_G



M_d

Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-268

TO-3P

TO-247

4.0

5.5

6.0

Low Package Inductance

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



Switch-Mode and Resonant-Mode

5.0

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

          100 nA



I_DSS

25 A

1.5 mA



T_J= 125C



Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

125 m

DS100461B(02/14)

12 3 4 5

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