5秒后页面跳转
IXFQ34N50P3 PDF预览

IXFQ34N50P3

更新时间: 2024-11-03 14:56:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 197K
描述
PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的基准高性能Polar系列产品系列的最新成员。 其高质量因数(FOM)是Qg的倍数,并在RDS(on)中可替

IXFQ34N50P3 数据手册

 浏览型号IXFQ34N50P3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFQ34N50P3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFQ34N50P3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFQ34N50P3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFQ34N50P3的Datasheet PDF文件第6页 
Polar3TM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 500V  
ID25 = 34A  
RDS(on) 180m  
IXFQ34N50P3  
IXFH34N50P3  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Rectifier  
TO-3P (IXFQ)  
G
D
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
S
Tab  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
500  
500  
V
V
VDGR  
TO-247 ( IXFH)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25C  
34  
85  
A
A
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
G
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
17  
A
D
Tab  
S
EAS  
400  
mJ  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
35  
V/ns  
W
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
695  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Fast Intrinsic Rectifier  
Avalanche Rated  
Low RDS(ON) and QG  
Md  
Mounting Torque  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Low Package Inductance  
Weight  
TO-3P  
TO-247  
5.5  
6.0  
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
500  
3.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 4mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
Switch-Mode and Resonant-Mode  
5.0  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
Laser Drivers  
AC and DC Motor Drives  
          100 nA  
IDSS  
50 A  
1.5 mA  
TJ = 125C  
Robotics and Servo Controls  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
180 m  
DS100411C(03/14)  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

与IXFQ34N50P3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFQ50N50P3 LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXFQ50N50P3 IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXFQ50N60P3 IXYS

获取价格

Polar3 HiperFET Power MOSFET
IXFQ50N60P3 LITTELFUSE

获取价格

PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ50N60X IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXFQ50N60X LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXFQ60N25X3 LITTELFUSE

获取价格

超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘
IXFQ60N50P3 IXYS

获取价格

Polar3 HiperFET Power MOSFET
IXFQ60N50P3 LITTELFUSE

获取价格

PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ60N60X LITTELFUSE

获取价格

采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通