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IXFV26N60P PDF预览

IXFV26N60P

更新时间： 2024-09-28 11:14:07
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IXYS 二极管快速恢复二极管
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5页 248K
描述
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated

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IXFV26N60P 数据手册

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Advance Technical Information  
PolarHVTM  
Power MOSFET  
IXFH 26N60P  
IXFQ 26N60P  
IXFT 26N60P  
IXFV 26N60P  
IXFV 26N60PS  
VDSS = 600  
ID25 = 26  
V
A
RDS(on) ≤ 270 mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
Fast Recovery Diode  
Avalanche Rated  
trr  
≤ 200 ns  
TO-247 (IXFH)  
G
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
D
S
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
TO-3P(IXFQ)  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
V
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
26  
65  
A
A
D
S
D (TAB)  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TO-268 (IXFT)  
IAR  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
26  
40  
A
mJ  
J
EAR  
EAS  
1.2  
G
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 5 Ω  
10  
V/ns  
S
D (TAB)  
PLUS220 (IXFV)  
PD  
TC = 25°C  
460  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G
D
S
D (TAB)  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body  
300  
250  
°C  
°C  
PLUS220SMD (IXFV_S)  
Md  
Mounting torque (TO-3P&TO-247)  
Mounting force (PLUS220)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
FC  
11..65/2.5..15  
N/lb  
Weight  
TO-3P  
TO-248  
TO-268  
PLUS220 & PLUS220SMD  
5.5  
6.0  
5.0  
4.0  
g
g
g
g
G
S
D (TAB)  
D = Drain  
TAB = Drain  
G = Gate  
S = Source  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Features  
z Fast Recovery diode  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
VGS = 30 V, VDS = 0  
600  
V
V
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
2.5  
5.0  
rated  
z International standard packages  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
100  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
µA  
µA  
TJ = 125°C  
250  
Advantages  
z
Easy to mount  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
270 mΩ  
z
Space savings  
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
z
High power density  
DS99435(08/05)  
© 2005 IXYS All rights reserved  
12345

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IXFV26N60P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXFV26N60PS IXYS

完全替代

 N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXTH26N60P IXYS

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH28N60P3 IXYS

类似代替

 Polar3 HiperFET Power MOSFETs

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFV26N60PS IXYS

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