IXFV18N90PS

更新时间： 2024-11-21 05:39:55

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFV18N90PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, PLUS220SMD, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	540 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFV18N90PS 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 900V

I_D25= 18A

R_DS(on)≤ 600mΩ

≤ 300ns

IXFH18N90P

IXFT18N90P

IXFV18N90P

IXFV18N90PS

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXFH)

Fast Intrinsic Diode

D (TAB)

TO-268 (IXFT)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

900

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

D (TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

PLUS220 (IXFV)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

D (TAB)

E_AS

800

PLUS220SMD (IXFV_S)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

540

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

D (TAB)

-55 ... +150

G = Gate

= Drain

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

S = Source TAB = Drain

T_SOLD

Features

M_d

Mounting Torque (TO-247)

Mounting Force (PLUS220)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

F_C

11..65/2.5..14.6

^zLow Package Inductance

^zFast Intrinsic Diode

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220 types

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

900

3.0

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

6.0

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

± 100 nA

I_DSS

25 μA

1.5 mA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

T_J= 125°C

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

600 mΩ

DS100057A(9/09)

12 3 4 5

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IXFV22N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
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