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IXFH18N90P

更新时间： 2024-02-19 14:48:10

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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFH18N90P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.22	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	540 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH18N90P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 900V

I_D25= 18A

R_DS(on)≤ 600mΩ

≤ 300ns

IXFH18N90P

IXFT18N90P

IXFV18N90P

IXFV18N90PS

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXFH)

Fast Intrinsic Diode

D (TAB)

TO-268 (IXFT)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

900

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

D (TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

PLUS220 (IXFV)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

D (TAB)

E_AS

800

PLUS220SMD (IXFV_S)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

540

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

D (TAB)

-55 ... +150

G = Gate

= Drain

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

S = Source TAB = Drain

T_SOLD

Features

M_d

Mounting Torque (TO-247)

Mounting Force (PLUS220)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

F_C

11..65/2.5..14.6

^zLow Package Inductance

^zFast Intrinsic Diode

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220 types

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

900

3.0

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

6.0

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

± 100 nA

I_DSS

25 μA

1.5 mA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

T_J= 125°C

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

600 mΩ

DS100057A(9/09)

12 3 4 5

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IXFH20N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH20N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFH20N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
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