Datasheet > IXFH20N60

IXFH20N60

更新时间： 2024-11-19 14:56:59

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
5页	677K
描述
功能与特色: 应用: 优点:

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH20N60 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.36	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	300 W
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH20N60 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFH/IXFM15N60

IXFH/IXFM20N60

600V 15 A 0.50 W

600V 20 A 0.35 W

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

Obsolete:

IXFM15N60

IXFM20N60

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

15N60

20N60

TO-204 AE (IXFM)

Package

unavailable

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

15N60

20N60

15N60

20N60

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

• Fast intrinsic Rectifier

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• DC-DC converters

• Synchronousrectification

• Battery chargers

min. typ. max.

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

600

2.0

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

4.5

• AC motor control

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

250 mA

• Temperatureandlightingcontrols

• Low voltage relays

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

15N60

20N60

0.50

0.35

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

• High power density

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91526E(4/99)

1 - 4

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXFH20N60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH20N60Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH20N60Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH20N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH20N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH20N80Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
IXFH20N80Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH20N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFH20N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH21N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH21N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

与IXFH20N60相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH20N60

IXFH20N60 技术参数

IXFH20N60 数据手册

与IXFH20N60相关器件

与IXFH20N60相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH20N60

IXFH20N60 技术参数

IXFH20N60 数据手册

与IXFH20N60相关器件

与IXFH20N60相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？