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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 677K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 应用: 优点: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.36 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 300 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH20N60Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFH20N60Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH20N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH20N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH20N80Q | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFH20N80Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH20N85X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IXFH20N85X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH21N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs |
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| IXFH21N50 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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