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IXFH22N60P3

更新时间： 2024-11-18 11:13:59

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5页	140K
描述
Polar3 HiperFET Power MOSFETs

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IXFH22N60P3 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	PLASTIC, TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.39	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.36 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	55 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH22N60P3 数据手册

Advance Technical Information

Polar3^TMHiperFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 600V

I_D25= 22A

R_DS(on)≤ 360mΩ

IXFP22N60P3

IXFQ22N60P3

IXFH22N60P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-220AB (IXFP)

Fast Intrinsic Rectifier

Tab

TO-3P (IXFQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

600

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-247 (IXFH)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

E_AS

400

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Tab

500

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

Features

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-3P

TO-247

3.0

5.5

6.0

^zLow R_DS(ON)and Q_G

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±100 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 μA

1.25 mA

T_J= 125°C

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

360 mΩ

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

DS100321(03/11)

12 3 4 5

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IXFH22N60P3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTV22N60PS	IXYS	类似代替	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFH22N60P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFQ22N60P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiperFET Power MOSFETs

与IXFH22N60P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH22N60X2A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH22N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH22N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH230N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH230N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFH230N10T	IXYS	获取价格	Trench HiperFET Power MOSFET
IXFH230N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFH23N60Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH23N80Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH23N80Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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