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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-247AD | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.29 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A | 最大漏极电流 (ID)： | 24 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.42 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 660 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH250 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH25N10 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH25N20 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH26N100X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH26N50 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFH26N50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH26N50P | IXYS |
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Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode |
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| IXFH26N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH26N50P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH26N50P3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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